[实用新型]一种具有正面钝化接触的P型PERC电池

说明书

本申请公开了一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极。上述具有正面钝化接触的P型PERC电池，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种具有正面钝化接触的P型PERC电池。

背景技术

背面局域接触钝化结构的PERC和PERL电池在背面钝化上是比较完善的，但局部接触的结构特点限制了背面钝化效果，且正面复合的存在，使得当前结构的PERC电池提升空间受到限制。Fraunhofer开发的隧穿氧化层钝化接触技术使表面钝化得到更好的完善，既能降低表面复合，又避免了局部接触所需开孔流程，也就是钝化接触技术，当前的技术大多着重在背面钝化接触及n型钝化接触，当前PERC电池已有较完善的背面钝化结构，但正面复合仍然较大，限制了效率提升。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

本实用新型提供的一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述掺杂多晶硅层的表面还设置有ITO层。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述氧化硅层的厚度范围为3纳米至7纳米。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述掺杂多晶硅层的厚度范围为15纳米至25纳米。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述ITO层的厚度范围为70纳米至100纳米。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述掺杂多晶硅层为掺磷多晶硅层。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述氧化铝层的厚度范围为8纳米至12纳米。

优选的，在上述具有正面钝化接触的P型PERC电池中，所述氮化硅层的厚度范围为80纳米至120纳米。

通过上述描述可知，本实用新型提供的上述具有正面钝化接触的P型PERC电池，由于包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极，将氧化硅层和掺杂多晶硅层相结合，P型硅基体的近表面能带弯曲，阻挡空穴向正面移动，电子可以隧穿过氧化硅层后通过掺杂多晶硅层，实现光生载流子的分离，形成正面载流子传输层，因此能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种具有正面钝化接触的P型PERC电池的示意图。

具体实施方式