[实用新型]一种具有正面钝化接触的P型PERC电池有效
| 申请号： | 201721093521.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN207353259U | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郭瑶;郑霈霆;金浩;张昕宇;张范 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 正面 钝化 接触 perc 电池 | ||
1.一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极。
2.根据权利要求1所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的表面还设置有ITO层。
3.根据权利要求1所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，所述氧化硅层的厚度范围为3纳米至7纳米。
4.根据权利要求1所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度范围为15纳米至25纳米。
5.根据权利要求2所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，所述ITO层的厚度范围为70纳米至100纳米。
6.根据权利要求1-5任一项所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，
所述掺杂多晶硅层为掺磷多晶硅层。
7.根据权利要求6所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，所述氧化铝层的厚度范围为8纳米至12纳米。
8.根据权利要求7所述的具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，所述氮化硅层的厚度范围为80纳米至120纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
