[实用新型]应用于半导体存储器的ZQ校准控制有效
申请号: | 201721049912.3 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN207052298U | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C11/406 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人: | 张臻贤,屈小春 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体存储器的ZQ校准控制器,包括温度传感器,用于检测半导体存储器的温度;温度控制单元,用于从温度传感器处获取并存储半导体存储器的第一温度值和第二温度值,计算第一温度值和第二温度值的偏差,在偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号;ZQ校准单元,用于在收到启动ZQ校准的信号时,对半导体存储器进行ZQ校准,并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给温度控制单元。本实用新型通过增加温度控制单元可实现半导体存储器根据自身温度变化自动启动ZQ校准,从而改善输出端阻值,以维持信号的完整性,也减轻控制器的编程负担,节省成本,节省功耗;对输出端口的输出阻值的控制更加灵活有效。 | ||
搜索关键词: | 应用于 半导体 存储器 zq 校准 控制 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器的ZQ校准控制器,其特征在于,包括:温度传感器,用于检测半导体存储器的温度;温度控制单元,连接于所述温度传感器,用于从所述温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的第一温度值和第二温度值,计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差,在所述偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号;及,ZQ校准单元,连接于所述温度控制单元,令所述温度控制单元串接于所述温度传感器和所述ZQ校准单元之间,所述ZQ校准单元用于在收到所述温度控制单元启动ZQ校准的信号时,对所述半导体存储器进行ZQ校准,并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给所述温度控制单元;其中,所述第一温度值是所述温度控制单元在预设的采样周期下获取的由所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度;所述第二温度值是所述温度控制单元在收到所述ZQ校准单元发送的ZQ校准结束的信号时获取的所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度。
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