[实用新型]GaN半导体器件有效
| 申请号： | 201721026139.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN207503986U | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤;万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管(MISFET Transistor)特性中散布问题。 1 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝镓 半导体器件 氮化镓层 氮化镓铝层 缓冲层 晶种层 基板 本实用新型 二维电子气 薄膜结构 氮化铝层 蚀刻工艺 依次层叠 有效控制 栅极接触 氮化铝 复合膜 晶体管 薄膜 散布 生长 | ||
【主权项】：
1.一种GaN半导体器件，其特征在于，包括：
基板；
设置于所述基板上的晶种层；
设置于所述晶种层上的缓冲层；
设置于所述缓冲层上的氮化镓层；
设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；
所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。
2.根据权利要求1所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述第二氮化镓铝层中的铝含量小于等于所述第一氮化镓铝层中的铝含量。3.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述晶种层的材质为氮化铝、氮化镓或氮化铝镓。4.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述晶种层的厚度为100nm～200nm。5.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为氮化铝、氮化镓或氮化铝镓。6.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为0.5um～10um。7.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化镓层为碳沉积氮化镓层、非掺杂氮化镓层或复合层，所述复合层为多层交互层叠的碳沉积氮化镓层和非掺杂氮化镓层。8.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化镓层的厚度为0.1um～1um。9.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述AlxGa1‑xN层的厚度为3nm～50nm。10.一种半导体装置，其特征在于，包括权利要求1‑9任一项所述的GaN半导体器件。
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