[实用新型]一种三维栅介质结构的增强型功率晶体管有效
| 申请号： | 201720921809.7 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN207250526U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘煦冉;刘胜厚;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种三维栅介质结构的增强型功率晶体管，所述晶体管由下至上包括衬底、缓冲层、沟道层及势垒层，势垒层上设有源极、漏极和电介质层，源极和漏极之间的电介质层上设有栅极，所述栅极下方的势垒层至多部分设有凹槽，所述凹槽沿栅极长度方向延伸至超出所述栅极两端。通过部分凹槽的设置形成三维结构栅介质和栅极的增强型氮化镓功率晶体管，用以调控栅控能力和器件的输出性能，既能够保留部分有效结构，缓解势垒层去除引起的二维电子气下降，又能达到去除特定势垒层，在栅极电压为0V时，阻断器件源漏之间的导电通路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 介质 结构 增强 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种三维栅介质结构的增强型功率晶体管，所述晶体管由下至上包括衬底、缓冲层、沟道层及势垒层，势垒层上设有源极、漏极和电介质层，源极和漏极之间的电介质层上设有栅极，其特征在于：所述栅极下方的势垒层部分设有凹槽，所述凹槽沿栅极长度方向延伸至超出所述栅极两端。
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