[实用新型]一种三维栅介质结构的增强型功率晶体管

权利要求书

1.一种三维栅介质结构的增强型功率晶体管，所述晶体管由下至上包括衬底、缓冲层、沟道层及势垒层，势垒层上设有源极、漏极和电介质层，源极和漏极之间的电介质层上设有栅极，其特征在于：所述栅极下方的势垒层部分设有凹槽，所述凹槽沿栅极长度方向延伸至超出所述栅极两端。

2.根据权利要求1所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述凹槽是于所述栅极下方的势垒层上平行间隔排列的若干条形凹槽。

3.根据权利要求2所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述若干条形凹槽沿所述栅极宽度方向等距离间隔平行排列。

4.根据权利要求1所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述凹槽包括沿所述栅极长度方向延伸的主槽以及由主槽向两侧延伸形成的平行间隔排列的支槽。

5.根据权利要求4所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述支槽向所述栅极宽度方向延伸至超出所述栅极的端部。

6.根据权利要求1所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述凹槽是沿厚度方向部分或全部去除所述势垒层形成。

7.根据权利要求1所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述凹槽开口面积占所述栅极覆盖的势垒层面积的25％～75％。

8.根据权利要求1所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述沟道层/势垒层为GaN/AlGaN或GaAs/AlGaAs。

9.根据权利要求1所述的三维栅介质结构的增强型功率晶体管，其特征在于：所述电介质层为SiN、Si₂O₃、Al₂O₃或AlN。