[实用新型]半导体存储器

摘要

本实用新型提供一种半导体存储器，包括：半导体衬底，形成有多个内存数组结构中的第一焊盘以及内存数组结构之外且位于所述第一焊盘外周的若干第二焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括双U型的第一导电层及第二导电层、电容介质以及第三导电层；及支架筒，形成于所述第二焊盘上，所述支架筒包括无电性功能的虚置孔。本实用新型以多重图案方法以及边界工艺强化的支撑架结构，制造出六方阵列排布的双U型下电极的双面电容器，具有较大的高度与宽度比，可有效提高单位面积下的电容值。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述衬底上形成有多个在内存数组结构中的第一焊盘以及排除在所述内存数组结构之外且位于所述第一焊盘外周的若干第二焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括：第一导电层及第二导电层，所述第一导电层与所述第一焊盘接触，所述第一导电层的截面形状为第一U型结构，所述第二导电层的截面形状为第二U型结构，所述第二U型结构位于所述第一U型结构内侧；电容介质，覆盖于所述第一导电层及第二导电层内表面及外表面；及第三导电层，覆盖于所述电容介质外表面；及支架筒，形成于所述第二焊盘上，所述支架筒包括虚置孔以及在所述虚置孔内的U型截面且底部连接至所述第二焊盘的导电层，所述支架筒还包括在所述第一导电层与所述第二导电层之间的牺牲间隔层，所述牺牲间隔层的顶面为倾斜面。