[实用新型]高对称性能双向瞬态电压抑制器有效
申请号: | 201720900094.7 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN207021265U | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 倪凯彬 | 申请(专利权)人: | 上海领矽半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/04 |
代理公司: | 上海汉盛律师事务所31316 | 代理人: | 郭海锋 |
地址: | 201412 上海市奉贤*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高对称性能双向瞬态电压抑制器,通过调整纵向NPN结构中的上下两部分N型掺杂浓度梯度和结深,尽可能匹配上下两个PN结物理特性,从而获得两端各个性能参数的高度对称和最优。基于该实用新型制作的双向瞬态电压抑制器的两端性能指标相差在5%以内,几乎可以认为完全对称,而且彼此之间没有性能损失。 | ||
搜索关键词: | 对称 性能 双向 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】:
一种高对称性能双向瞬态电压抑制器,其特征在于,所述瞬态电压抑制器包括:N型衬底、生长于N型掺杂衬底上的补偿外延层和P型基区外延层、N型掺杂区、上电极、下电极、介质层、深槽隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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