[实用新型]一种CSP封装的高压LED芯片结构

摘要

本实用新型公开了一种CSP封装的高压LED芯片结构，包括倒装高压LED芯片、荧光胶层、封装基板，所述倒装高压LED芯片焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN、有源层、p型GaN层、电流扩散层，以及位于p型GaN台面上的n电极和p电极，其中n电极通过深沟槽侧壁金属导电层与n型GaN斜面相连，金属导电层与子芯片之间通过绝缘层隔离，各子芯片的n电极和p电极再分别与基板电极焊盘和互连线键合。本实用新型兼具CSP封装体积小和高压芯片电源要求低的优点，可以进一步增加高压芯片的子芯片之间电气连接的可靠性，在同等芯片面积下增加芯片发光层的面积。

主权项

一种CSP封装的高压LED芯片结构，包括高压LED芯片、荧光胶、封装基板，其特征在于，所述LED高压芯片倒装焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN层、有源层、p型GaN层、电流扩展层以及n电极和p电极，其中n电极通过金属导电层延伸到n型GaN斜坡上，此金属导电层通过绝缘层与p型GaN和有源层侧壁隔离；所述n电极和p电极均位于p型GaN上面并电隔离，n电极和p电极与封装基板对应电极焊盘和互联线焊接起来。