[实用新型]一种CSP封装的高压LED芯片结构

权利要求书

1.一种CSP封装的高压LED芯片结构，包括高压LED芯片、荧光胶、封装基板，其特征在于，所述LED高压芯片倒装焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN层、有源层、p型GaN层、电流扩展层以及n电极和p电极，其中n电极通过金属导电层延伸到n型GaN斜坡上，此金属导电层通过绝缘层与p型GaN和有源层侧壁隔离；所述n电极和p电极均位于p型GaN上面并电隔离，n电极和p电极与封装基板对应电极焊盘和互联线焊接起来。

2.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述n电极、p电极以及金属导电层采用Ag、Al、Ni三种导电性和反射性能都较好的金属，其采用单层金属结构或多层金属结构。

3.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述电流扩散层可以是ITO薄膜，也可以是金属薄膜。

4.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述绝缘层可以是氮化硅、氧化硅或氮化铝材料组成，也可以是这些材料组合的DBR结构。

5.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于剥离衬底后在n型GaN上喷涂形成荧光粉和保护胶层。