[实用新型]一种双芯片叠加二极管有效
| 申请号： | 201720772087.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN206864465U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 林茂昌;方强;刘文松 | 申请（专利权）人： | 上海金克半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201108 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双芯片叠加二极管，包括第一铜框架、第二铜框架和芯片，所述第一铜框架和第二铜框架之间设有叠加的两个芯片，第一铜框架、第二铜框架以及两个芯片紧贴在一起，且芯片均被封装在防护壳之内，本实用新型的有益效果是叠加的两个芯片能提升二极管的功率，性能得到极大的提升，第一铜框架和第二铜框架的设计能对芯片形成良好的支撑防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 叠加 二极管 | ||
【主权项】：
一种双芯片叠加二极管，包括第一铜框架、第二铜框架和芯片，其特征在于，所述第一铜框架和第二铜框架之间设有叠加的两个芯片，第一铜框架、第二铜框架以及两个芯片紧贴在一起，且芯片均被封装在防护壳之内。
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