[实用新型]单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统有效
| 申请号： | 201720578519.7 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN206956213U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 黄保强;贺贤汉;郡司拓;刘海 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，需要清除氧化物时，3个气动真空球阀全部关闭，2个常闭电磁阀打开，则过滤过的空气自动进入真空管道，氧化物遇空气则立即燃烧，燃烧灰烬通过真空系统抽走，达到清除氧化物的目的。气动真空球阀关闭后，在管路的球阀间区域使氧化物燃烧，以免于对管路仪器的影响。且阀门全部远程操作，使其氧化物自动燃烧，免于人工清扫，节约劳动力，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 真空 管道 氧化物 去除 系统 | ||
【主权项】：
单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：包括第一气动真空球阀(9)，所述第一气动真空球阀(9)一端连接接管(12)一端，接管(12)另一端顺序连接挡板阀(13)和蝶阀(14)；所述第一气动真空球阀(9)另一端连接三通管(7)一端口，三通管(7)另外两个端口分别连接一套真空管道氧化物燃烧系统；所述真空管道氧化物燃烧系统包括与三通管(7)端口连接的波纹管(6)，所述波纹管(6)另一端连接能够短距离调节安装的第一配管(3)一端，第一配管(3)另一端连接第二配管(2)一端，第二配管(2)另一端固定连接第二气动真空球阀(1)；两个第二气动真空球阀和一个第一气动真空球阀关闭后形成封闭区域；所述第一配管(3)上安装有常闭电磁阀(5)，电磁阀上有真空过滤器(4)。
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