[实用新型]单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统有效
| 申请号： | 201720578519.7 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN206956213U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 黄保强;贺贤汉;郡司拓;刘海 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 真空 管道 氧化物 去除 系统 | ||
1.单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：包括第一气动真空球阀(9)，所述第一气动真空球阀(9)一端连接接管(12)一端，接管(12)另一端顺序连接挡板阀(13)和蝶阀(14)；
所述第一气动真空球阀(9)另一端连接三通管(7)一端口，三通管(7)另外两个端口分别连接一套真空管道氧化物燃烧系统；
所述真空管道氧化物燃烧系统包括与三通管(7)端口连接的波纹管(6)，所述波纹管(6)另一端连接能够短距离调节安装的第一配管(3)一端，第一配管(3)另一端连接第二配管(2)一端，第二配管(2)另一端固定连接第二气动真空球阀(1)；两个第二气动真空球阀和一个第一气动真空球阀关闭后形成封闭区域；
所述第一配管(3)上安装有常闭电磁阀(5)，电磁阀上有真空过滤器(4)。
2.根据权利要求1所述的单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：所述接管(12)上安装有高真空计(10)和低真空计(11)。
3.根据权利要求1所述的单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：所述波纹管(6)与第一配管(3)通过快拆法兰连接。
4.根据权利要求1所述的单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：所述第一配管(3)上配有安全阀(8)。
5.根据权利要求1所述的单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：所述第一配管(3)与第二配管(2)通过快拆法兰连接。
6.根据权利要求1所述的单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，其特征在于：所述第二配管(2)与第二气动真空球阀(1)之间采用螺钉固定连接。
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