[实用新型]单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及单晶硅生长炉的改进，具体涉及单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统。

背景技术

单晶炉真空管通过螺钉或快拆法兰连接，组成密封真空管路系统。每次加硅料新生长硅棒前，需要清扫管路沉积的氧化物。由于组成复杂，空间狭小，清扫氧化物时存在以下缺点：①真空管路系统组成复杂、空间狭小，拆装管路时需要1～2人操作，工作耗时长、工作量大；②真空管路系统组成复杂，走向不规则，氧化物经常沉积在管臂上，清理工作困难；③氧化物常结渣块，有时呈粉尘状，工作环境恶劣，影响操作工人健康；④清扫工作耗时长，降低了单晶炉生产效率。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本实用新型提供单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，需要清除氧化物时，2个第二气动真空球阀与第一气动真空球阀远程关闭，2个常闭电磁阀打开，则过滤过的空气自动进入真空管道，氧化物遇空气则立即燃烧，燃烧灰烬通过真空系统抽走，达到清除氧化物的目的。气动真空球阀关闭后，在管路的球阀间区域使氧化物燃烧，以免于对管路仪器的影响。且整体阀门远程操作，使其氧化物自动燃烧，免于人工清扫，节约劳动力，提高工作效率。

本实用新型的技术方案是：单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，包括第一气动真空球阀，所述第一气动真空球阀一端连接接管一端，接管另一端顺序连接挡板阀和蝶阀；

所述第一气动真空球阀另一端连接三通管一端口，三通管另外两个端口分别连接一套真空管道氧化物燃烧系统；

所述真空管道氧化物燃烧系统包括与三通管端口连接的波纹管，所述波纹管另一端连接能够短距离调节安装的第一配管一端，第一配管另一端连接第二配管一端，第二配管另一端固定连接第二气动真空球阀；两个第二气动真空球阀和一个第一气动真空球阀关闭后形成封闭区域；

所述第一配管上安装有常闭电磁阀，电磁阀上有真空过滤器。以最大程度的减少空气对真空管道的污染。电磁阀常闭，即使失电状态下，保证真空系统的安全。

进一步的，所述接管上安装有高真空计和低真空计。方便真空检漏时，使用高真空计；拉晶时，使用低真空计。

进一步的，所述波纹管与第一配管通过快拆法兰连接。安装拆卸方便快捷。

进一步的，所述第一配管上配有安全阀。当腔体压力升高时，安全阀能自行打开泄压，保护设备安全。

进一步的，所述第一配管与第二配管通过快拆法兰连接。安装拆卸方便快捷。

进一步的，所述第二配管与第二气动真空球阀之间采用螺钉固定连接。固定连接可靠。

本实用新型的有益效果是：

1、需要清除氧化物时，2个第二气动真空球阀与第一气动真空球阀远程关闭，2个常闭电磁阀打开，则过滤过的空气自动进入真空管道，氧化物遇空气则立即燃烧，燃烧灰烬通过真空系统抽走，达到清除氧化物的目的。气动真空球阀关闭后，在管路的球阀间区域使氧化物燃烧，以免于对管路仪器的影响。且整体阀门远程操作，使其氧化物自动燃烧，免于人工清扫。

2、第一配管可以短距离调节安装，以调节零件位置，使零件间安装法兰处能完全密封。

3、三通管另外两个端口分别连接一套真空管道氧化物燃烧系统，分两支对称分布，使得需要清除氧化物时，燃烧气流热量压力更稳定；拉晶成型也更稳定。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图中：1为第二气动真空球阀，2为第二配管，3为第一配管，4为真空过滤器，5为常闭电磁阀，6为波纹管，7为三通管，8为安全阀，9为气动真空球阀，10为高真空计，11为低真空计，12为接管，13为挡板阀，14为蝶阀。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。

如图1所示，单晶硅生长炉真空管道氧化物去除系统，包括第一气动真空球阀9，第一气动真空球阀9一端连接接管12一端，接管12另一端顺序连接挡板阀13和蝶阀14。接管12上安装有高真空计10和低真空计11。方便真空检漏时，使用高真空计；拉晶时，使用低真空计。