[实用新型]一种SOT883高密度框架有效

专利信息
申请号: 201720510326.8 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN206806328U 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种SOT883高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与SOT883封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部为矩形,且所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置;相邻芯片安装部之间的切割道分为横向连接筋和竖向连接筋,所述横向连接筋的竖向中部设有竖向切割定位槽,所述竖向连接筋为间隔设置的条形结构。该框架的相邻芯片安装部之间的切割道为横向连接筋和竖向连接筋,且在横向连接筋的竖向中部设置了竖向切割定位槽,便于切割定位、减小切割难度,保证产品质量;使芯片安装部之间的距离可进一步减小,即切割道宽度变小,利于布置高密度的芯片安装部,提高材料利用率、节约生产成本。
搜索关键词: 一种 sot883 高密度 框架
【主权项】:
一种SOT883高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与SOT883封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部为矩形,且所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置;相邻芯片安装部之间的切割道分为横向连接筋和竖向连接筋,所述横向连接筋的竖向中部设有竖向切割定位槽,所述竖向连接筋为间隔设置的条形结构。
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