[实用新型]一种新型离子源偏压刻蚀系统有效
| 申请号： | 201720456719.5 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN206774497U | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘伟基;冀鸣;陈蓓丽 | 申请（专利权）人： | 中山市博顿光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01J37/30 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司44214 | 代理人： | 吝秀梅,李彦孚 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火炬*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型离子源偏压刻蚀系统，包括真空腔室及置于真空腔室内的离子源、刻蚀平台、第一电源、第二电源及第三电源，刻蚀平台与离子源的栅网正对设置，离子源的栅网包括屏栅及加速栅；第一电源的正极与屏栅连接，第一电源的负极与第二电源的正极及第三电源的正极连接，第二电源的负极与加速栅连接，第三电源的负极与刻蚀平台连接；第一电源的负极与第二电源的正极及第三电源的正极连接后接地。通过在刻蚀平台上施加一个负压，从离子源发射出的离子束流，在刻蚀平台负压的吸引下，被持续加速并轰击到刻蚀平台上，与传统的离子源刻蚀系统相比，离子束流被刻蚀平台上的负压约束，这使得离子束流的准直性高、利用率高，离子束流轰击能量的大小为屏栅上的电压与刻蚀平台上电压绝对值的总和，这提高了离子束流刻蚀时的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 离子源 偏压 刻蚀 系统 | ||
【主权项】：
一种新型离子源偏压刻蚀系统，其特征在于，包括真空腔室(1)及置于真空腔室(1)内的离子源(2)、刻蚀平台(3)、第一电源(4)、第二电源(5)及第三电源(6)，刻蚀平台(3)与离子源(2)的栅网正对设置，离子源(2)的栅网包括屏栅(21)及加速栅(22)；第一电源(4)的正极与屏栅(21)连接，第一电源(4)的负极与第二电源(5)的正极及第三电源(6)的正极连接，第二电源(5)的负极与加速栅(22)连接，第三电源(6)的负极与刻蚀平台(3)连接；第一电源(4)的负极与第二电源(5)的正极及第三电源(6)的正极连接后接地。
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