[实用新型]一种半导体侧面泵浦的放大系统有效

专利信息
申请号: 201720407575.4 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN206864860U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 丁广雷;鲍日焰 申请(专利权)人: 福建海创光电有限公司
主分类号: H01S3/0941 分类号: H01S3/0941
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司35211 代理人: 余小丽
地址: 350005 福建省福州市高新*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开一种半导体侧面泵浦的放大系统,依序包括种子光源、耦合系统、半导体泵浦源、波导、增益介质、热沉,种子光源出射的种子激光,经耦合系统整形后进入增益介质端面,半导体泵浦源发射的泵浦光经过波导,从侧面进入增益介质,在增益介质侧壁多次反射后被增益介质吸收,本实用新型提出了泵浦光的快轴方向平行于增益介质轴向的新方法,使得泵浦光在种子激光传播方向上的分布更加均匀,用简单结构实现了对种子激光的高效放大。
搜索关键词: 一种 半导体 侧面 放大 系统
【主权项】:
一种半导体侧面泵浦的放大系统,其特征在于:其包括依序设置的种子光源、耦合系统、半导体泵浦源、波导、增益介质和热沉,所述的增益介质穿设在热沉内,增益介质轴向的一端面与耦合系统相对,所述的波导一端嵌设在热沉内并与增益介质外壁相对,波导的另一端与半导体泵浦源的泵浦光发射端口相对,所述的种子光源发射的种子激光经耦合系统准直后,从增益介质与耦合系统相对的端面进入增益介质,所述半导体泵浦源发射的泵浦光在波导内反射后,从侧面进入增益介质中,并在增益介质外壁多次反射后被增益介质吸收,所述半导体泵浦源的泵浦光的快轴方向与增益介质的轴向相平行,所述泵浦光的光强在增益介质轴向上进行交叠并形成均匀分布。
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