[实用新型]一种半导体侧面泵浦的放大系统

权利要求书

1.一种半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：其包括依序设置的种子光源、耦合系统、半导体泵浦源、波导、增益介质和热沉，所述的增益介质穿设在热沉内，增益介质轴向的一端面与耦合系统相对，所述的波导一端嵌设在热沉内并与增益介质外壁相对，波导的另一端与半导体泵浦源的泵浦光发射端口相对，所述的种子光源发射的种子激光经耦合系统准直后，从增益介质与耦合系统相对的端面进入增益介质，所述半导体泵浦源发射的泵浦光在波导内反射后，从侧面进入增益介质中，并在增益介质外壁多次反射后被增益介质吸收，所述半导体泵浦源的泵浦光的快轴方向与增益介质的轴向相平行，所述泵浦光的光强在增益介质轴向上进行交叠并形成均匀分布。

2.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述的半导体泵浦源为单管型或巴条型，且所述的半导体泵浦源为一个以上半导体激光器组成。

3.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述的种子光源以连续或脉冲的方式进行工作。

4.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述种子光源的波长范围为660nm～3000nm。

5.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述增益介质轴向的两个端面上均镀设有与种子光源发出的种子激光波长相适应的增透膜。

6.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述的波导为平板型玻璃或石英材质。

7.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述增益介质的端面形状为圆形、椭圆形、多边形或D形。

8.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述的增益介质与热沉相接触的外壁上镀设有与泵浦光波长相对应的高反膜，增益介质与热沉之间留有间隙且位置相对的外壁镀设有与泵浦光波长相对应的增透膜。

9.根据权利要求1所述的半导体侧面泵浦的放大系统，其特征在于：所述的增益介质为胶粘固定在热沉上。