[实用新型]一种具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置有效
| 申请号： | 201720365582.2 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN206872926U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 田守文 | 申请（专利权）人： | 天津市大阳光大新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 301600 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置，该装置包括真空室，真空室的顶部设置有可旋转式基片支架，真空室的底部设置有电子束发射装置、二氧化硅靶材和等离子体发射装置，电子束发射装置和二氧化硅靶材设置在等离子体发射装置的一侧；二氧化硅靶材的上方设置有可旋转并能上下调节高度的掩模。该装置利用等离子体轰击基片表面，等离子体与沉积的二氧化硅薄膜发生持续碰撞，提供足够的动能(表面迁移率)来克服表面能(粘着力)，使沉积薄膜与基片之间形成化学键(而不是现有技术中的范德华力)，提高了薄膜的粘着力。通过调节掩模的水平位置和高度，控制等离体子辅助沉积过程中的动量转移量，减少薄膜缺陷，提高了薄膜的光滑度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 等离子体 辅助 二氧化硅 装置 | ||
【主权项】：
一种具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置，其特征在于，所述的具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置包括真空室，真空室的顶部设置有可旋转式基片支架，可旋转式基片支架的底部设置有多个基片，真空室的底部设置有电子束发射装置、二氧化硅靶材和等离子体发射装置，电子束发射装置和二氧化硅靶材设置在等离子体发射装置的一侧；二氧化硅靶材的上方设置有可旋转并能上下调节高度的掩模。
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