[实用新型]一种具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及二氧化硅蒸镀技术领域，尤其涉及一种具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置。

背景技术

现有技术中，二氧化硅蒸镀装置利用电阻加热法将待沉积的二氧化硅加热到熔融状态，在熔融状态的二氧化硅发生蒸发，蒸发的二氧化硅沉积在基片上，形成薄膜。但是这种方法使二氧化硅加热到熔融状态的过程中，二氧化硅蒸发的时候会发生一定程度的解离，造成成膜质量变差。而且这种蒸镀方法形成的薄膜多为多孔性结构，沉积时缺乏足够的动能(表面迁移率)来克服表面能(粘着力)，孔隙率随着膜厚的增大而增大，表面粗糙。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置，所要解决的技术问题是如何提高成膜的质量，使薄膜致密化，增强膜的粘着力。

本实用新型所述的具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置包括真空室，真空室的顶部设置有可旋转式基片支架，可旋转式基片支架的底部设置有多个基片，真空室的底部设置有电子束发射装置、二氧化硅靶材和等离子体发射装置，电子束发射装置和二氧化硅靶材设置在等离子体发射装置的一侧；二氧化硅靶材的上方设置有可旋转并能上下调节高度的掩模。

所述的可旋转式基片支架的底部呈圆盘形，可旋转式基片支架的中心设置有带动可旋转式基片支架旋转的旋转轴。

所述的可旋转式基片支架上还设置有对基片进行加热的加热装置。

本实用新型的技术方案具有如下优点：

本实用新型所述的具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置利用等离子体轰击基片表面，等离子体与沉积的二氧化硅薄膜发生持续碰撞，提供足够的动能(表面迁移率)来克服表面能(粘着力)，使沉积薄膜与基片之间形成化学键(而不是现有技术中的范德华力)，提高了薄膜的粘着力。通过调节掩模的水平位置和高度，控制等离体子辅助沉积过程中的动量转移量，减少了薄膜缺陷，提高了薄膜的光滑度。

附图说明

图1是本实用新型所述的具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置的结构示意图。

具体实施方式

以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

如图1所示，本实用新型所述的具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置包括真空室11，真空室11的顶部设置有可旋转式基片支架22，可旋转式基片支架22的底部设置有多个基片 12，真空室11的底部设置有电子束发射装置16、二氧化硅靶材17和等离子体发射装置18，电子束发射装置16和二氧化硅靶材17设置在等离子体发射装置18的一侧；二氧化硅靶材 17的上方设置有可旋转并能上下调节高度的掩模14。

所述的可旋转式基片支架22的底部呈圆盘形，可旋转式基片支架22的中心设置有带动可旋转式基片支架22旋转的旋转轴。

所述的可旋转式基片支架22上还设置有对基片进行加热的加热装置。

本实用新型所述的具有等离子体辅助的二氧化硅蒸镀装置在运行时，首先，在真空室11 内的可旋转式基片支架22上安放基片12，使真空室内的压力维持在规定的范围内。使可旋转式基片支架22以规定的转数旋转，同时利用未图示的电加热器将基片12的温度加热到规定温度。真空室11内事先充满氩气。

接下来，电子束发射装置16发射电子束，轰击二氧化硅靶材17，通过轰击转移的动量足够溅起靶材，使之沉积在基片上，形成光滑致密的薄膜。溅起的靶材材料在到达基片时具有高能量，可以达到几百电子伏特，产生高堆积密度和光滑的表面。同时调节掩模的水平位置和高度，如图1所示的实施例中，掩模14遮蔽了第一区域15，使溅起的靶材材料沉积在第二区域20上，等离子体发射装置18产生等离子体19，在沉积膜的早期阶段，等离子体只在第一区域15轰击基片，而在第二区域20上，等离子体与沉积的二氧化硅薄膜持续碰撞，使沉积薄膜与基片之间形成化学键(而不是现有技术中的范德华力)，提高了薄膜的粘着力。通过调节掩模的水平位置和高度，控制等离体子辅助沉积过程中的动量转移量，确保沉积膜受到足够的等离子体轰击，以便在沉积薄膜与基片之间形成化学键，减少了薄膜缺陷，提高了薄膜的光滑度。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。