[实用新型]一种MOCVD设备用石墨盘有效
申请号: | 201720307206.8 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN206562455U | 公开(公告)日: | 2017-10-17 |
发明(设计)人: | 江汉;寻飞林;蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种MOCVD设备用石墨盘,其包括一盘体,其特征在于:所述盘体上表面设置有环形档板,所述环形档板的外环直径大于或者等于所述盘体的直径,所述档板的高度由内侧至外侧逐渐升高,所述盘体和/或所述档板上表面设置有若干个放置晶圆衬底用的晶圆凹槽。本实用新型通过在盘体上表面设置一环形档板来阻挡在晶圆过程中,盘体边缘晶圆凹槽处气流被抽走过快的现象,进而来改善边缘晶圆凹槽处晶圆的长晶速率。档板的上表面设置成倾斜面,并将环形档板的内侧壁延伸至晶圆凹槽处,一方面是改善各圈晶圆的长晶速率,另一方面也可以防止晶圆凹槽内晶圆的飞片现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 备用 石墨 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备用石墨盘,包括一盘体,其特征在于:所述盘体上表面设置有环形档板,所述环形档板的外环直径大于或者等于所述盘体的直径,所述档板的高度由内侧至外侧逐渐升高,所述盘体和/或所述档板上表面设置有若干个放置晶圆衬底用的晶圆凹槽。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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