[实用新型]一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201720289445.5 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN206602116U | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，由下至上依次包括衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1‑y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 沟道 赝配异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1‑y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极。
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