[实用新型]一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器有效

专利信息
申请号: 201720251515.8 申请日: 2017-03-15
公开(公告)号: CN206602460U 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 李志君;黄波;李志雨;田远;董兆雯;蔡阿利;颜繁龙;李波;高鑫;许洪东 申请(专利权)人: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)35212 代理人: 宋连梅
地址: 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器,包括MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、变压模块、电容Cr、Cf、电感Lr以及电容Cf2,电容Cf2的一端分别连接MOS管Q1的漏极以及MOS管Q2的漏极,电容Cf2的另一端分别连接MOS管Q3的源极以及MOS管Q4的源极;电容Cr、电感Lr及变压模块的原边为串联关系,三者构成串联支路,串联支路的一端与MOS管Q1的源极与MOS管Q3的漏极相连,串联支路的另一端与MOS管Q2的源极与MOS管Q4的漏极相连,变压模块副边连接电容Cf两端部,MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4为碳化硅MOSFET,降低了功率器件高频开关所导致的开关应力、电磁噪声等对系统的影响。
搜索关键词: 一种 基于 碳化硅 mosfet llc 谐振 变换器
【主权项】:
一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器,其特征在于:包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、变压模块、电容Cr、电容Cf、电感Lr以及电容Cf2,所述电容Cf2的一端分别连接所述MOS管Q1的漏极以及MOS管Q2的漏极,所述电容Cf2的另一端分别连接MOS管Q3的源极以及MOS管Q4的源极;所述电容Cr、电感Lr及变压模块的原边为串联关系,三者构成串联支路,所述串联支路的一端与MOS管Q1的源极与MOS管Q3的漏极相连,串联支路的另一端与MOS管Q2的源极与MOS管Q4的漏极相连,所述变压模块的副边连接至所述电容Cf两端部,所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4为碳化硅MOSFET。
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