[实用新型]超掺杂均匀性大面积SiC外延层生长腔室结构有效
| 申请号： | 201720237302.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN206558478U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 韩景瑞;孙国胜;杨旭腾;张新河;孔令沂;李锡光;萧黎鑫 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/67;C23C16/32;C23C16/455;C23C16/54 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种超掺杂均匀性大面积SiC外延层生长腔室结构，其包括碳化硅LPCVD反应腔室，其外侧设有加热组件；托盘，其位于碳化硅LPCVD反应腔室中；三通导气管路结构，其安装于碳化硅LPCVD反应腔室进气端一侧，该三通导气管路结构由主导气管路及两个位于主导气管路两侧且相互隔绝的侧导气管路构成；三通进气管路结构，其与三通导气管路结构连接，三通进气管路结构包括管主体及主进气管路和两个侧进气管路，主进气管路和两个侧进气管路均与管主体内腔连通，管主体内腔连通主导气管路及侧导气管路；侧进气管路与主进气管路之间通过一斜面连接，以致使主进气管路与管主体内腔形成喇叭状通道，并连通主导气管路及侧导气管路。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 均匀 大面积 sic 外延 生长 结构 | ||
【主权项】：
超掺杂均匀性大面积SiC外延层生长腔室结构，其特征在于：其包括：碳化硅LPCVD反应腔室(1)，该碳化硅LPCVD反应腔室(1)外侧设置有用于对其加热的加热组件；托盘(2)，其位于碳化硅LPCVD反应腔室(1)中，该托盘(2)上设置承载槽(21)以承载一片大面积SiC晶片(22)；三通导气管路结构(3)，其安装于碳化硅LPCVD反应腔室(1)进气端一侧，该三通导气管路结构(3)由与碳化硅LPCVD反应腔室(1)连通的主导气管路(31)以及两个位于主导气管路(31)两侧且相互隔绝的侧导气管路(32)构成；三通进气管路结构(4)，其与三通导气管路结构(3)连接，且该三通进气管路结构(4)包括一管主体(41)以及成型于管主体(41)前端的主进气管路(42)和两个分别位于主进气管路(42)两侧的侧进气管路(43)，主进气管路(42)和两个侧进气管路(43)均与管主体(41)内腔连通，该管主体(41)内腔连通主导气管路(31)及侧导气管路(32)；侧进气管路(43)与主进气管路(42)之间通过一斜面连接，以致使主进气管路(42)与管主体(41)内腔形成喇叭状通道，并连通主导气管路(31)及侧导气管路(32)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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