[实用新型]一种RENA湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201720135407.4 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN206451690U | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周华军;谢贤清 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种RENA湿法刻蚀装置，包括刻蚀槽，所述刻蚀槽包括槽体和盖板，所述盖板的上方设有至少2个加热灯，且加热灯的辐射区域对应于整个盖板区域。本实用新型能够防止水汽在盖板处冷凝而出现滴液现象，从而减少硅片返工，提升刻蚀良率，实验证明采用本实用新型的装置之后，可以大大减少滴液对硅片的返工，目前可降至0.17%左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rena 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种RENA湿法刻蚀装置，包括刻蚀槽，所述刻蚀槽包括槽体(1)和盖板(2)，其特征在于：所述盖板的上方设有至少2个加热灯(3)，且加热灯的辐射区域对应于整个盖板区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
