[实用新型]一种RENA湿法刻蚀装置有效
| 申请号: | 201720135407.4 | 申请日: | 2017-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN206451690U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
| 发明(设计)人: | 周华军;谢贤清 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 rena 湿法 刻蚀 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种RENA湿法刻蚀装置,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池,可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。其中,晶体硅太阳能电池由于丰富的硅储量得到了广泛应用。
现有的晶体硅太阳能电池的制备工艺如下:清洗制绒→扩散→刻蚀/去PSG→PECVD→丝网印刷→烧结→测试分档→分选→包装。其中,刻蚀/去PSG是其中的一个重要环节,其目的是去掉硅片背面和硅片四周的PN结,使正面和背面绝缘。目前,“RENA in-line”式结构的设备是一种常用的湿法刻蚀设备(又称RENA湿法刻蚀装置),其原理是:在HF/HNO3体系中,利用表面张力和毛吸力的作用去除边缘和背面的PN结,而不会影响太阳能电池的工艺结构。
现有的RENA湿法刻蚀装置包括:刻蚀槽、水喷淋槽、碱槽、水喷淋槽、去PSG槽、水喷淋槽和吹干装置;其中,刻蚀槽包括槽体和盖板。
然而,实际应用中发现,在利用RENA湿法刻蚀装置进行生产的过程中,存在如下问题:RENA湿法刻蚀装置的刻蚀槽的盖板常出现水汽凝结的现象,凝结的液滴会滴落在正在流通的硅片上,在硅片上发生腐蚀反应,导致硅片的外观不良甚至PN结被破坏,使得硅片返工,目前实际返工率可达0.7%~0.8%左右,造成了产量下降和成本浪费。
因此,改进现有的RENA湿法刻蚀装置,以防止产生刻蚀槽盖板处的水汽凝结现象,降低返工率,显然具有积极的现实意义。
发明内容
本实用新型的发明目的是提供一种RENA湿法刻蚀装置。
为达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:一种RENA湿法刻蚀装置,包括刻蚀槽,所述刻蚀槽包括槽体和盖板,所述盖板的上方设有至少2个加热灯,且加热灯的辐射区域对应于整个盖板区域。
上文中,所述加热灯的作用是用来给其下方的盖板加热,在加热灯对刻蚀槽盖板的加热下,酸雾不会在盖板下方形成,可避免酸液滴的形成,且能够提高液面和盖板之间的水汽的温度,以减少水汽和盖板之间的温差,从而防止水汽在盖板处冷凝而出现滴液现象,从而减少硅片返工,提升刻蚀良率。然而,现有技术中的加热灯存在辐射不均匀的情况,尤其是盖板边缘往往得不到加热,因此存在极大的瑕疵。针对这个新问题,本实用新型对加热灯的位置进行了布置,并配合加热灯的形状进行综合调整,使加热灯的辐射区域对应于整个盖板区域,最终解决了辐射不均匀的问题。
优选的,所述刻蚀槽包括4个盖板,所述加热灯的辐射区域对应于刻蚀槽后部的3个盖板区域。
优选的,所述加热灯和其下方的盖板之间的高度为40~60cm。
上述技术方案中,所述加热灯通过安装杆吊设于所述盖板的上方。
优选的,所述加热灯相对于安装杆具有上下运动的自由度。即安装杆为可伸缩结构,或者,安装杆为螺栓,而加热灯通过螺母安装于螺栓上,此时,加热灯可以相对于安装杆实现上下运动。
优选的,所述加热灯为长条形的加热灯。
上述技术方案中,所述加热灯包括加热灯管和不锈钢灯罩,所述不锈钢灯罩向下出光的角度为100~150度。
优选的,所述盖板的上方设有3个长条形的加热灯,且其中1个加热灯竖直设置,另外2个加热灯水平设置。
与之相应的另一种技术方案,所述盖板的上方设有3个长条形的加热灯,且3个加热灯均竖直设置,均布于盖板的上方。
优选的,所述加热灯的长度为800~1000mm,宽度为120~140mm。所述加热灯的功率为400~1000W。电压为220V。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
1、本实用新型能够提高液面和盖板之间的水汽的温度,以减少水汽和盖板之间的温差,从而防止水汽在盖板处冷凝而出现滴液现象,从而减少硅片返工,提升刻蚀良率,实验证明:采用本实用新型的装置之后,可以大大减少滴液对硅片的返工,目前可降至0.17%左右,取得了显著的效果,显然具有积极的现实意义;
2、本实用新型的设备结构简单,与现有工业化生产工艺兼容性较好,可以快速移植到工业化生产中,适于推广应用。
附图说明
图1是本实用新型实施例一中刻蚀槽的结构示意图。
图2是本实用新型实施例一中刻蚀槽和加热灯的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





