[实用新型]一种RENA湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201720135407.4 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN206451690U | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周华军;谢贤清 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rena 湿法 刻蚀 装置 | ||
1.一种RENA湿法刻蚀装置，包括刻蚀槽，所述刻蚀槽包括槽体(1)和盖板(2)，其特征在于：所述盖板的上方设有至少2个加热灯(3)，且加热灯的辐射区域对应于整个盖板区域。
2.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述刻蚀槽包括4个盖板，所述加热灯的辐射区域对应于刻蚀槽后部的3个盖板区域。
3.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述加热灯和其下方的盖板之间的高度为40~60cm。
4.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述加热灯通过安装杆(6)吊设于所述盖板的上方。
5.根据权利要求4所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述加热灯相对于安装杆具有上下运动的自由度。
6.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述加热灯为长条形的加热灯。
7.根据权利要求6所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述加热灯包括加热灯管(4)和不锈钢灯罩(5)，所述不锈钢灯罩向下出光的角度为100~150度。
8.根据权利要求6所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述盖板的上方设有3个长条形的加热灯，且其中1个加热灯竖直设置，另外2个加热灯水平设置。
9.根据权利要求6所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述盖板的上方设有3个长条形的加热灯，且3个加热灯均竖直设置，均布于盖板的上方。
10.根据权利要求8或9任一权利要求所述的RENA湿法刻蚀装置，其特征在于：所述加热灯的长度为800~1000mm，宽度为120~140mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
