[实用新型]一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构

摘要

本实用新型公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，该薄膜芯片包括P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，特征是在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层，N型粗化层使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.5≤x≤1，采用稀盐酸(盐酸∶水＝x∶3，1＜x＜3)腐蚀粗化，提高出光效率；N型电流扩展层所使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.1≤x≤0.5，这种低铝组份的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料电子迁移率高，可以提高电流扩展能力。

主权项

一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，自下而上依次包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，其特征在于：在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层。