[实用新型]一种N沟道绝缘栅场效应管有效
| 申请号: | 201720010504.0 | 申请日: | 2017-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN206451718U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
| 发明(设计)人: | 黄晓波 | 申请(专利权)人: | 深圳市凌云微科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 518031 广东省深圳市福田区深南*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供的一种N沟道绝缘栅场效应管,在第一绝缘层上端固设有与导电沟道电连接的第一引脚,在硅衬底一侧安装有一与导电沟道电连接的第二引脚,在第二绝缘层下端固设有第三引脚,将第一引脚设于第一绝缘层的上端,将第二引脚设于硅衬底的一侧,将第三引脚设于第二绝缘层下端,第一引脚、第二引脚和第三引脚与相连接的元器件焊接固定后,具有承载能力,不容易损坏,延长了产品的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 沟道 绝缘 场效应 | ||
【主权项】:
一种N沟道绝缘栅场效应管,其特征在于,包括一硅衬底,所述硅衬底内设有多个导电沟道,所述硅衬底上端固设有一第一绝缘层,所述第一绝缘层上端固设有一第一引脚,所述硅衬底一侧安装有一与所述导电沟道电连接的第二引脚,所述硅衬底下端固设有一第二绝缘层,所述第二绝缘层下端固设有一第三引脚,所述第一引脚与所述导电沟道的D极电连接,所述第二引脚与所述导电沟道的S极电连接,所述第三引脚与所述导电沟道的G极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市凌云微科技有限公司,未经深圳市凌云微科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720010504.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





