[实用新型]一种N沟道绝缘栅场效应管有效
| 申请号： | 201720010504.0 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN206451718U | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 黄晓波 | 申请（专利权）人： | 深圳市凌云微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福田区深南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 绝缘 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，包括一硅衬底，所述硅衬底内设有多个导电沟道，所述硅衬底上端固设有一第一绝缘层，所述第一绝缘层上端固设有一第一引脚，所述硅衬底一侧安装有一与所述导电沟道电连接的第二引脚，所述硅衬底下端固设有一第二绝缘层，所述第二绝缘层下端固设有一第三引脚，所述第一引脚与所述导电沟道的D极电连接，所述第二引脚与所述导电沟道的S极电连接，所述第三引脚与所述导电沟道的G极电连接。
2.根据权利要求1所述的一种N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，所述导电沟道为三个。
3.根据权利要求1所述的一种N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，所述硅衬底为P型硅衬底。
4.根据权利要求1所述的一种N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分别为二氧化硅绝缘层。
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