[实用新型]一种N沟道绝缘栅场效应管

说明书

技术领域

本实用新型属于电子元器件领域，尤其涉及一种N沟道绝缘栅场效应管。

背景技术

目前，现有的N沟道绝缘栅场效应管的第一引脚、第二引脚和第三引脚都位于同一方向，从而没有承载能力，与其他电子元件连接时，容易损坏，使用寿命低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种具有承载能力的N沟道绝缘栅场效应管，其不容易损害，使用寿命长。

本实用新型是这样实现的，一种N沟道绝缘栅场效应管，包括一硅衬底，所述硅衬底内设有多个导电沟道，所述硅衬底上端固设有一第一绝缘层，所述第一绝缘层上端固设有一第一引脚，所述硅衬底一侧安装有一与所述导电沟道电连接的第二引脚，所述硅衬底下端固设有一第二绝缘层，所述第二绝缘层下端固设有一第三引脚，所述第一引脚与所述导电沟道的D极电连接，所述第二引脚与所述导电沟道的S极电连接，所述第三引脚与所述导电沟道的G极电连接。

优选地，所述导电沟道为三个。

具体地，所述硅衬底为P型硅衬底。

具体地，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分别为二氧化硅绝缘层。

本实用新型提供的一种N沟道绝缘栅场效应管，在第一绝缘层上端固设有与导电沟道电连接的第一引脚，在硅衬底一侧安装有一与导电沟道电连接的第二引脚，在第二绝缘层下端固设有第三引脚，将第一引脚设于第一绝缘层的上端，将第二引脚设于硅衬底的一侧，将第三引脚设于第二绝缘层下端，第一引脚、第二引脚和第三引脚与相连接的元器件焊接后，具有承载能力，不容易损坏，延长了产品的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型提供的N沟道绝缘栅场效应管的示意图。

图2是图1的右视图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

如图1和图2所示，本实用新型实施例提供的一种N沟道绝缘栅场效应管，包括一硅衬底1，硅衬底1内设有多个导电沟道2，硅衬底1上端固设有一第一绝缘层3，第一绝缘层3上端固设有一第一引脚4，硅衬底1一侧安装有一与导电沟道2电连接的第二引脚5，硅衬底1下端固设有一第二绝缘层6，第二绝缘层6下端固设有一第三引脚7，第一引脚4与导电沟道2的D极(未示出)电连接，第二引脚5与导电沟道2的S极(未示出)电连接，第三引脚7与导电沟道2的G极(未示出)电连接。

具体地，本实施例中第一引脚4、第二引脚5和第三引脚7的横截面为L型，此种结构便于第一引脚4、第二引脚5和第三引脚7与相连接的元器件的同一侧面焊接。

优选地，所述导电沟道2为三个。

具体地，所述硅衬底1为P型硅衬底。

具体地，第一绝缘层3和第二绝缘层6分别为二氧化硅绝缘层。

本实用新型提供的一种N沟道绝缘栅场效应管，在第一绝缘层2上端固设有与导电沟道2电连接的第一引脚4，在硅衬底1一侧安装有一与导电沟道2电连接的第二引脚5，在第二绝缘层6下端固设有第三引脚，将第一引脚4设于第一绝缘层2的上端，将第二引脚5设于硅衬底1的一侧，将第三引脚7设于第二绝缘层6下端，第一引脚4、第二引脚5和第三引脚7与相连接的元器件焊接固定后，具有承载能力，不容易损坏，延长了产品的使用寿命。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。