[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711495577.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108231900A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伍震威;梁嘉进;冯浩 | 申请（专利权）人： | 中山汉臣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决源极接触孔与栅极沟槽之间的光刻对准精度限制了器件的沟道密度，以及沟槽填充过程中易在填充材料内部产生空洞的问题，本发明提供的新型沟槽型场效应管，源极沟槽(源极接触孔)的刻蚀不需要额外的掩膜版，从而避免了源极接触孔光刻工艺的层间对准偏差，消除了栅极沟槽与源极接触孔之间的“安全距离”的限制，进而可以大大减小相邻栅极沟槽的间距，提高器件导电沟道的密度，实现比通常的沟槽场效应管更低的导通电阻及更低的能量损失，提升器件性能。在本发明所提供的新型沟槽型场效应管中，栅极沟槽的顶部宽度大于底部的宽度，有利于沟槽栅极材料的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 源极接触孔 功率半导体器件 场效应管 栅极沟槽 沟槽型 制备 安全距离 层间对准 导电沟道 导通电阻 沟槽填充 沟槽栅极 光刻工艺 精度限制 能量损失 提升器件 填充材料 相邻栅极 源极沟槽 掩膜版 沟道 光刻 减小 刻蚀 填充 对准 空洞 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件包括：位于底部的N+型衬底层(202)；设于所述的N+型衬底层(202)上的N型外延层(201)；位于N型外延层(201)上的一个以上的栅极沟槽(206)，所述的栅极沟槽(206)内设有栅电极(205)，所述的栅电极(205)和栅极沟槽(206)通过第一绝缘介质层(211)隔离；相邻的栅极沟槽(206)之间设有P型体区(207)，所述的P型体区(207)上方设有源极沟槽(210)，所述的源极沟槽(210)的内部被源极金属(203)填充；在所述的栅极沟槽(206)内、所述的栅电极(205)上方设有第二绝缘介质层(212)；所述的源极沟槽(210)的侧壁与相邻栅极沟槽(206)的侧壁之间设有夹角，并在所述的源极沟槽(210)和栅极沟槽(206)之间设有N+型源极区(208)，源极沟槽(210)与栅电极(205)之间通过第二绝缘介质层(212)隔离。
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