[发明专利]一种超导腔氮掺杂方法有效
| 申请号： | 201711479415.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108277450B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 沙鹏;刘佰奇;董超;郑洪娟;米正辉;翟纪元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | C23C8/24 | 分类号： | C23C8/24;C23C8/02;C23F3/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超导腔氮掺杂方法。本方法为：1)将超导腔整体放入超声清洗池进行清洗，再用纯水将超导腔内、外均冲洗干净、晾干；然后对超导腔的内表面进行缓冲化学抛光；然后清洗超导腔内表面、晾干；2)将步骤1)处理后的所述超导腔放入真空炉中进行加热，加热至设定温度后，在该设定温度和压力对真空炉进行除氢处理；3)除氢处理结束后，将真空炉的抽气阀门关闭，注入高纯氮气且真空炉内压力保持在2～4Pa，将氮掺入超导腔表面；4)氮气注入结束后，对真空炉进行除氮气处理；5)除氮气处理结束后，对真空腔保温设定时间，完成超导腔的氮掺杂。本发明能够进一步降低超导腔的表面电阻，从而减小超导腔的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 超导腔 真空炉 氮掺杂 氮气处理 晾干 内表面 氢处理 放入 加热 清洗 氮气 表面电阻 超声清洗 抽气阀门 高纯氮气 化学抛光 内压力 真空腔 掺入 功耗 缓冲 减小 保温 冲洗 | ||
【主权项】：
1.一种超导腔氮掺杂方法，具体步骤如下：1)对超导腔的内表面进行缓冲化学抛光；然后清洗超导腔内表面、晾干；2)将步骤1)处理后的所述超导腔放入真空炉中进行加热，真空炉的温升速率不能超过5度/分钟，压力小于1E‑3Pa；加热至800度，保温3小时，对真空炉进行除氢处理，压力小于1E‑3Pa；3)除氢处理结束后，将真空炉的抽气阀门关闭，注入高纯氮气2分钟且真空炉内压力保持在2～4Pa，将氮掺入超导腔表面；4)氮气注入结束后，对真空炉进行除氮气处理；5)除氮气处理结束后，对真空腔保温设定时间以利于超导腔对氮的吸收，然后开始降温至50度以下，开启炉门，完成超导腔的氮掺杂。
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