[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置有效
| 申请号： | 201711472866.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994546B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 冯喆韵;胡林辉;姚尧;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置，半导体器件包括：衬底；以及源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于衬底中，其中，所述源极区和所述漏极区上的所述衬底的表面上分别形成有源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有肖特基二极管。关闭状态的漂移延伸部由体区耗尽，该器件和传统的LDMOS一样工作。当器件开关时，肖特基二极管开关更快并且开启更早以改善高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
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