[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置

说明书

本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置，半导体器件包括：衬底；以及源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于衬底中，其中，所述源极区和所述漏极区上的所述衬底的表面上分别形成有源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有肖特基二极管。关闭状态的漂移延伸部由体区耗尽，该器件和传统的LDMOS一样工作。当器件开关时，肖特基二极管开关更快并且开启更早以改善高频性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件以及具有其的电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)器件由于其具有良好的短沟道特性而被广泛的应用于功率集成电路。LDMOS器件非常适合应用于RF(射频)基站和功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)转换。在RF技术的应用中，由于LDMOS具有高功率性能、高增益、优良的线性度(linearity)以及低制造成本，LDMOS器件主要应用在基站电路中。在功率MOSFET的应用中，例如在DC-CD转换器中，LDMOS器件具有优秀的转换性能，与其他的功率转换设备相比LDMOS器件能够降低转换损耗。因此，LDMOS技术为新一代基站放大器带来较高的功率峰均比、更高增益与线性度，同时为多媒体服务带来更高的数据传输率。

随着技术的发展，功率阵列(Power array)的高频应用需求逐渐增多，良好的高频特性对高压器件来说越来越重要。横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)的体内寄生二极管由于存在电荷储存效应，其反向恢复速度低，反向恢复电荷大，反向恢复性能差，严重影响功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高频特性。而肖特基势垒二极管(SBD)是多数载流子器件，反向恢复性能好。同时其正向导通电压较普通二极管低。

因此，有必要提供一种半导体器件，以至少部分地解决目前所存在的问题。

发明内容

针对上述问题，一方面，本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；以及

源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于衬底中，

其中，所述源极区和所述漏极区上的所述衬底的表面上分别形成有源极和漏极，

所述源极和漏极之间形成有肖特基二极管。

在本发明的一个示例中，还包括：

形成在所述衬底中的体区和漂移区；

栅极，所述栅极位于所述体区和所述漂移区之间的所述衬底上且覆盖所述体区和所述漂移区的一部分，

所述源极区和所述漏极区位于所述栅极的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内，

其中，所述漂移区整体呈梳状且包括：

位于所述体区一侧的漂移主体部；以及

自所述漂移主体部的靠近所述体区的一侧延伸进入所述体区中的呈指状的漂移延伸部。

在本发明的一个示例中，所述体区和所述源极区为与所述漂移延伸部的形状相匹配的梳状结构。

在本发明的一个示例中，所述漂移延伸部延伸至所述源极区的远离所述漂移主体部一侧的边界。

在本发明的一个示例中，所述漂移延伸部延伸至所述源极区中且沿所述漂移延伸部的延伸方向上与源极区的远离所述漂移主体部一侧的边界保持预定距离。

在本发明的一个示例中，所述肖特基二极管形成于所述衬底中。

在本发明的一个示例中，所述源极区的所述衬底表面上形成有金属硅化物，所述金属硅化物与位于其下部并与其接触的漂移区形成所述肖特基二极管。