[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；以及形成在所述衬底中的体区和漂移区；

栅极，所述栅极位于所述体区和所述漂移区之间的所述衬底上且覆盖所述体区和所述漂移区的一部分；

源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述栅极的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内，

其中，所述漂移区整体呈梳状且包括：

位于所述体区一侧的漂移主体部；以及自所述漂移主体部的靠近所述体区的一侧延伸进入所述体区中的呈指状的漂移延伸部；

所述体区和所述源极区为与所述漂移延伸部的形状相匹配的梳状结构；

所述漂移延伸部延伸至所述源极区的远离所述漂移主体部一侧的边界或所述漂移延伸部延伸至所述源极区中且沿所述漂移延伸部的延伸方向上与源极区的远离所述漂移主体部一侧的边界保持预定距离；

所述源极区的所述衬底表面上形成有金属硅化物，所述金属硅化物与位于其下部并与其接触的漂移区形成肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基二极管形成于所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物与所述漂移区的漂移延伸部接触。

4.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1-3中任一项所述的半导体器件。