[发明专利]晶片接合结构、晶片接合方法、晶片剥离方法及装置在审
| 申请号： | 201711465613.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108335994A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 冯玙璠;陈治贤;庄昌辉;范小贞;赵前来;黄汉杰;何江玲;尹建刚;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了晶片接合结构、晶片接合方法、晶片剥离方法及装置，所述晶片接合结构包括：晶片；基板，采用可透过紫外激光的材料；粘合层，包含通过紫外线或热固化的有机材料，涂覆于晶片表面；以及释放层，包含吸收紫外激光而分解的材料，涂覆于基板表面，并且与粘合层接合。所述晶片剥离方法包括步骤：将紫外激光束由高斯分布的圆形光斑整形为平顶分布的矩形光斑；以及采用整形得到的平顶分布的矩形光斑扫描释放层，通过释放层材料对紫外激光的吸收使释放层材料分解，实现晶片与基板的分离。本发明所述晶片接合结构方便实现晶片与基板的分离。本发明所述晶片剥离方法可以显著提高晶片的加工质量和生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片接合 晶片剥离 释放层 晶片 紫外激光 基板 矩形光斑 粘合层 整形 平顶 涂覆 紫外激光束 分解 高斯分布 基板表面 晶片表面 有机材料 圆形光斑 接合 可透过 热固化 紫外线 良率 吸收 扫描 加工 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶片接合结构，其特征在于，包括：晶片；基板，采用可透过紫外激光的材料；粘合层，包含通过紫外线或热固化的有机材料，涂覆于晶片表面；以及释放层，包含吸收紫外激光而分解的材料，涂覆于基板表面，并且与粘合层接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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