[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、金属膜的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成栅极、覆盖所述栅极的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的有源层；在混合有氮气或者氧气的氩气环境中利用溅射镀膜的方式在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成铜膜层；对所述铜膜层和所述阻挡金属层进行图案化处理，以形成分别与所述有源层接触的源极和漏极。本发明在混合有氮气或者氧气的氩气环境中利用溅射镀膜的方式制作阻挡金属层，可以提高阻挡金属层的致密性，从而能够更好的阻挡制作铜膜层时铜离子的扩散，从而提升薄膜晶体管器件特性。 1

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极、覆盖所述栅极的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的有源层；

在混合有氮气或者氧气的氩气环境中利用溅射镀膜的方式在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成阻挡金属层；

在所述阻挡金属层上形成铜膜层；

对所述铜膜层和所述阻挡金属层进行图案化处理，以形成分别与所述有源层接触的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮气或所述氧气与所述氩气的体积比为0.05:1～0.3:1。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮气或所述氧气与所述氩气的体积比为0.1:1。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻挡金属层的制作材料包括钼、钛、钼钛合金和钼铌合金中的一种。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述铜膜层和所述阻挡金属层进行图案化处理的方法包括：

在所述铜膜层上形成光阻层；

将位于所述有源层上方的部分所述光阻层去除，以暴露部分所述铜膜层；

将所述铜膜层的被暴露的部分及位于所述铜膜层的被暴露的部分下方的所述阻挡金属层去除，以形成彼此间隔的源极和漏极。

6.一种由权利要求1至5任一项所述的制作方法制作的薄膜晶体管。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：

权利要求6所述的薄膜晶体管；

钝化层，设置于所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层上，所述钝化层中具有暴露所述漏极或所述源极的过孔；

像素电极，设置于所述钝化层上，且通过所述过孔与暴露的所述漏极或所述源极接触。

8.一种金属膜的制作方法，其特征在于，包括：在混合有氮气或者氧气的氩气环境中利用溅射镀膜的方式在基板上镀制金属膜。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述氮气或所述氧气与所述氩气的体积比为0.05:1～0.3:1。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述金属膜的制作材料包括钼、钛、钼钛合金和钼铌合金中的一种。