[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201711463670.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108155246B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 周志超;夏慧;陈梦 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括衬底基板、半导体有源层、栅电极、栅极绝缘层、源电极和漏电极，其中，所述栅极绝缘层形成在所述衬底基板上，所述栅极绝缘层中设置有通孔以及环绕于所述通孔四周的环状凹槽，所述栅电极形成在所述通孔中，所述半导体有源层形成在所述环状凹槽中，所述栅电极在所述通孔中的高度至少高于所述环状凹槽的底部，所述源电极和漏电极相互间隔地形成在所述栅极绝缘层上并分别与所述半导体有源层连接。本发明还公开了如上所述薄膜晶体管的制备方法以及包含该薄膜晶体管的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括衬底基板、半导体有源层、栅电极、栅极绝缘层、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅极绝缘层形成在所述衬底基板上，所述栅极绝缘层中设置有通孔以及环绕于所述通孔四周的环状凹槽，所述栅电极形成在所述通孔中，所述半导体有源层形成在所述环状凹槽中，所述栅电极在所述通孔中的高度至少高于所述环状凹槽的底部，所述源电极和漏电极相互间隔地形成在所述栅极绝缘层上并分别与所述半导体有源层连接。
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