[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板、半导体有源层、栅电极、栅极绝缘层、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅极绝缘层形成在所述衬底基板上，所述栅极绝缘层中设置有通孔以及环绕于所述通孔四周的环状凹槽，所述栅电极形成在所述通孔中，所述半导体有源层形成在所述环状凹槽中，所述栅电极在所述通孔中的高度至少高于所述环状凹槽的底部，所述源电极和漏电极相互间隔地形成在所述栅极绝缘层上并分别与所述半导体有源层连接；

其中，所述薄膜晶体管还包括栅极基座，所述栅极基座形成于所述衬底基板上，所述栅极绝缘层位于所述栅极基座上，所述通孔连通至所述栅极基座，所述栅电极形成在所述通孔中并与所述栅极基座连接；所述栅极基座包括与所述栅电极连接的第一区域和从所述第一区域的相对两侧延伸出的第二区域，所述第一区域的线宽大于所述第二区域的线宽；所述第一区域大于所述栅电极的横截面积，以使所述栅电极完全落在所述第一区域之内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的高度至少与所述栅极绝缘层的上表面平齐。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述通孔为圆形通孔，所述环状凹槽为圆环状凹槽，所述通孔和所述环状凹槽呈同轴结构。

4.根据权利要求1-3任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体有源层的材料为氧化物半导体材料。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和所述漏电极在所述栅极绝缘层上位于所述栅电极的相对两侧，所述半导体有源层的与所述源电极和所述漏电极连接的位置被导体化形成导体。

6.一种如权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积形成所述栅极绝缘层；

应用光罩工艺在所述栅极绝缘层上刻蚀形成所述环状凹槽；

在所述环状凹槽中沉积半导体材料，形成所述半导体有源层；

应用光罩工艺在所述栅极绝缘层的位于所述环状凹槽环绕包围的区域刻蚀形成所述通孔；

在所述通孔中以及所述栅极绝缘层上同时沉积金属材料，形成所述栅电极、所述源电极和所述漏电极。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在沉积形成所述栅极绝缘层之前，首先应用光罩工艺在所述衬底基板制备形成栅极基座；其中，所述通孔连通至所述栅极基座，所述栅电极与所述栅极基座相互连接。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管。