[发明专利]一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711462615.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108321200B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张凯;朱广润;孔岑;周建军;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍片的两侧区域相邻的缓冲层的上方；所述GaN基三维鳍片的上方和两侧二次外延生长有p‑GaN/AlGaN/GaN异质结；所述栅极包裹在p‑GaN/AlGaN/GaN异质结的上方和两侧，形成三维栅结构；通过刻蚀方式去除栅极两侧区域的p‑GaN层而形成AlGaN/GaN异质结，所述源极和漏极分别设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明能够提高p‑GaN增强型器件的阈值电压与击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan 结构 三维 增强 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管，所述三维增强型高电子迁移率晶体管的结构自下而上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、GaN基三维鳍片(3)、栅极(6)、源极和漏极，其特征在于，还包括内置终端结构(4)，所述内置终端结构(4)为通过离子注入形成的内置高阻GaN区，所述内置GaN高阻区位于所述栅极(6)的下方与GaN基三维鳍片(3)的两侧区域相邻的缓冲层(2)的上方；所述GaN基三维鳍片(3)的上方及两侧二次外延生长有p‑GaN/AlGaN/GaN异质结(5)；所述栅极(6)包裹在p‑GaN/AlGaN/GaN异质结(5)的上方和两侧，形成三维栅结构；通过刻蚀方式去除栅极(6)两侧区域的p‑GaN层而形成AlGaN/GaN异质结，所述源极和漏极分别设在AlGaN/GaN异质结的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711462615.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
