[发明专利]一种NAND闪存验证装置和验证系统有效
| 申请号： | 201711460196.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108231132B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡德智;王永成;韩飞 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G11C29/38 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NAND闪存验证装置和验证系统，装置分别与主机和NAND闪存连接，装置包括PMU芯片、集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块的ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，ARM内核模块与主机连接，ARM内核模块将主机发送的配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将主机发送的用户指令解析为测试指令，根据用户指令产生测试数据；FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与ARM内核模块连接，还与NAND闪存连接，根据第二配置参数对NAND闪存进行参数配置，以及根据测试指令和测试数据对NAND闪存进行测试。本发明可以有效降低NAND闪存验证装置的设计难度和传输数据量，提高测试效率和数据的传输速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 验证 装置 系统 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存验证装置，其特征在于，所述装置分别与主机和NAND闪存连接，所述装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，所述ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，所述ARM内核模块与所述主机连接，所述ARM内核模块用于接收所述主机发送的配置参数和用户指令，所述ARM内核模块将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，所述ARM内核模块将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块；所述FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与所述ARM内核模块连接，所述FPGA逻辑模块还与所述NAND闪存连接，所述FPGA逻辑模块根据所述第二配置参数对所述NAND闪存进行参数配置，以及根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试。
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