[发明专利]一种NAND闪存验证装置和验证系统

说明书

本发明提供一种NAND闪存验证装置和验证系统，装置分别与主机和NAND闪存连接，装置包括PMU芯片、集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块的ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，ARM内核模块与主机连接，ARM内核模块将主机发送的配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将主机发送的用户指令解析为测试指令，根据用户指令产生测试数据；FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与ARM内核模块连接，还与NAND闪存连接，根据第二配置参数对NAND闪存进行参数配置，以及根据测试指令和测试数据对NAND闪存进行测试。本发明可以有效降低NAND闪存验证装置的设计难度和传输数据量，提高测试效率和数据的传输速率。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别是涉及一种NAND闪存验证装置和一种NAND闪存验证系统。

背景技术

在闪存的设计验证阶段，一般需要使用专业的ATE(Automatic Test Equipment，自动化测试设备)自动化测试设备对芯片的功能和电性能进行测试，以检验NAND闪存的设计是否符合规格要求。

现有ATE自动化测试设备的结构如图1所示。由于现有ATE自动化测试设备采用独立的DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理)芯片和FPGA(Field-ProgrammableGate Array，现场可编程门阵列)芯片，而DSP芯片和FPGA芯片都是复杂的大型芯片，DSP芯片和FPGA芯片两套大型芯片极大增加了现有ATE自动化测试设备的设计难度。另外，现有ATE自动化测试设备中每一次数据交换都要经过主机-DSP芯片-FPGA芯片-NAND闪存的过程，其中，主机和DSP芯片之间的网线通道，DSP芯片和FPGA芯片之间的并行通道，都是数据交换的瓶颈区，使得现有ATE自动化测试设备传输数据量巨大，测试效率低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种NAND闪存验证装置和一种NAND闪存验证系统，以解决现有ATE自动化测试设备设计难度大、传输数据量大和测试效率低的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种NAND闪存验证装置，其特征在于，所述装置分别与主机和NAND闪存连接，所述装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，所述ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，所述ARM内核模块与所述主机连接，所述ARM内核模块用于接收所述主机发送的配置参数、用户指令和用户数据，所述ARM内核模块将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，所述ARM内核模块将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块；所述FPGA逻辑模块通过AXI(Advanced extensible Interface，一种总线协议)传输通道与所述ARM内核模块连接，所述FPGA逻辑模块还与所述NAND闪存连接，所述FPGA逻辑模块根据所述第二配置参数对所述NAND闪存进行参数配置，以及根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试。

可选地，所述ARM内核模块包括ARM核0和ARM核1，其中，所述ARM核0用于运行LINUX系统、配置所述ZYNQ系列芯片以及与所述主机进行通信；所述ARM核1用于将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，并将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块。

可选地，所述NAND闪存验证装置还包括：DDR(Double Data Rate，双倍数据速率)缓存，所述DDR缓存与所述ARM内核模块连接，所述DDR缓存用于缓存所述LINUX系统数据和所述测试数据，在所述FPGA逻辑模块根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试后，所述DDR缓存还用于缓存所述ARM内核模块从所述NAND闪存读取的第一数据。