[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711458376.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108155245A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 夏慧;谭志威;陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上制作栅极层；在所述栅极层和所述基板上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作有源层；利用化学镀膜法和剥离法结合的工艺在所述有源层上同时制作源极和漏极。本发明还提供一种薄膜晶体管。本发明通过化学镀膜法结合剥离工艺，从而在形成源极和漏极无需采用湿刻方法，进而也就无需制作刻蚀阻挡层来对沟道处的IGZO进行保护。因此在简化制作工艺的同时，还能够降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作 化学镀膜法 栅极绝缘层 栅极层 基板 漏极 源层 简化制作工艺 刻蚀阻挡层 剥离工艺 剥离法 沟道处 制作源 源极 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制作栅极层；在所述栅极层和所述基板上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作有源层；利用化学镀膜法和剥离法结合的工艺在所述有源层上同时制作源极和漏极。
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