[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上制作栅极层；在所述栅极层和所述基板上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作有源层；利用化学镀膜法和剥离法结合的工艺在所述有源层上同时制作源极和漏极。本发明还提供一种薄膜晶体管。本发明通过化学镀膜法结合剥离工艺，从而在形成源极和漏极无需采用湿刻方法，进而也就无需制作刻蚀阻挡层来对沟道处的IGZO进行保护。因此在简化制作工艺的同时，还能够降低成本。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。

铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)等氧化物半导体材料由于具有高的迁移率和开态电流，被广泛应用到显示行业的薄膜晶体管器件中。然而目前常用的底栅型IGZO TFT的制程较为复杂，需要增加制作刻蚀阻挡层(Etching-Stop-Layer，简称ESL)，以避免在源/漏极金属电极层湿刻时对沟道处的IGZO造成损伤而影响器件性能。然而，刻蚀阻挡层的制作会增加制作工艺的复杂性，并且不利于降低成本。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种能够无需采用刻蚀阻挡层的薄膜晶体管及其制作方法。

根据本发明的一方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上制作栅极层；在所述栅极层和所述基板上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作有源层；利用化学镀膜法和剥离法结合的工艺在所述有源层上制作源极和漏极。

进一步地，利用化学镀膜法和剥离法结合的工艺在所述有源层上制作源极和漏极的方法包括：在所述栅极绝缘层和所述有源层上涂布光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以去除将形成所述源极和所述漏极的位置处的光阻层，从而暴露所述有源层的将形成所述源极和所述漏极的部分；利用化学镀膜法在剩余的光阻层、所述有源层的暴露的部分上制作金属膜层；利用剥离液剥离剩余的光阻层，以将剩余的光阻层上的金属膜层剥离，从而形成所述源极和所述漏极。

进一步地，在利用化学镀膜法在剩余的光阻层、所述有源层的暴露的部分上制作金属膜层之前，所述制作方法还包括：对所述有源层的暴露的部分进行掺杂，以形成所述第一导体部和所述第二导体部；其中，所述有源层设置于第一导体部上，所述漏极设置于所述第二导体部上。

进一步地，所述源极包括与所述第一导体部接触的第一底面、与所述第一底面相对的第一顶面以及连接在所述第一底面和所述第一顶面之间的第一侧面，所述第一侧面和所述第一底面之间的夹角小于或等于65°。

进一步地，所述漏极包括与所述第二导体部接触的第二底面、与所述第二底面相对的第二顶面以及连接在所述第二底面和所述第二顶面之间的第二侧面，所述第二侧面和所述第二底面之间的夹角小于或等于65°。

根据本发明的另一方面，还提供了一种薄膜晶体管，其包括：基板；栅极层，设置于所述基板上；栅极绝缘层，设置于所述栅极层和所述基板上；有源层，设置于所述栅极绝缘层上；源极和漏极，所述源极和所述漏极被采用化学镀膜法和剥离法结合的工艺在所述有源层上同时形成。

进一步地，所述有源层包括半导体部以及分别位于所述半导体部的两侧的第一导体部和第二导体部，所述有源层设置于第一导体部上，所述漏极设置于所述第二导体部上。

进一步地，所述源极包括与所述第一导体部接触的第一底面、与所述第一底面相对的第一顶面以及连接在所述第一底面和所述第一顶面之间的第一侧面，所述第一侧面和所述第一底面之间的夹角小于或等于65°。