[发明专利]一种逆阻型功率MOSFET器件

摘要

本发明提供一种逆阻型功率MOSFET器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N型漂移区、金属化源极；N型漂移区的下表面为背面结构，背面结构包括：N型轻掺杂区、N型正向场阻止层、第一沟槽，第一沟槽从金属化漏极的上表面，垂直向上依次贯穿N型轻掺杂区、N型正向场阻止层延伸入N型漂移区；N型漂移区的上表面为正面结构，正面结构包括：N型反向场阻止层、P型体区、第二沟槽、P型埋层；第二沟槽从金属化源极的下表面，垂直向下依次贯穿N型源区、P型体区、N型反向场阻止层延伸入N型漂移区；本发明提供的结构具有逆向阻断能力，同时场阻止层的存在防止了漂移区电场的穿通效应，降低了漂移区的厚度，使器件能够获得较低的导通电阻。

主权项

1.一种逆阻型功率MOSFET器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、N型漂移区(4)、金属化源极(16)；所述N型漂移区(4)的下表面为背面结构，所述背面结构包括：N型轻掺杂区(2)、N型正向场阻止层(3)、第一沟槽(9)，所述N型轻掺杂区(2)的下表面与金属化漏极(1)的上表面形成肖特基接触，所述N型正向场阻止层(3)的下表面与N型轻掺杂区(2)的上表面接触，所述第一沟槽(9)的下表面与金属化漏极(1)的上表面接触，所述第一沟槽(9)填充有第一氧化层(10)，所述第一氧化层(10)中设有多晶硅场板(11)，所述多晶硅场板(11)与金属化漏极(1)的上表面直接接触；所述第一沟槽(9)从金属化漏极(1)的上表面，垂直向上依次贯穿N型轻掺杂区(2)、N型正向场阻止层(3)延伸入N型漂移区(4)；所述N型漂移区(4)的上表面为正面结构，所述正面结构包括：N型反向场阻止层(5)、P型体区(6)、第二沟槽(12)、P型埋层(13)；所述N型反向场阻止层(5)的上表面与P型体区(6)的下表面接触；所述P型体区(6)的上表面具有N型源区(8)与P型接触区(7)，所述N型源区(8)与P型接触区(7)相邻，且N型源区(8)与P型接触区(7)的上表面均与金属化源极(16)的下表面接触；所述P型埋层(13)位于第二沟槽(12)正下方且与第二沟槽(12)直接接触；所述第二沟槽(12)的上表面与金属化源极(16)的下表面接触；所述第二沟槽(12)的内部填充有第二氧化层(14)，且第二氧化层(14)中具有多晶硅栅电极(15)，所述多晶硅栅电极(15)与金属化源极(16)之间间隔了第二氧化层(14)，所述多晶硅栅电极(15)的下表面深度大于P型体区(6)的结深；所述第二沟槽(12)从金属化源极(16)的下表面，垂直向下依次贯穿N型源区(8)、P型体区(6)、N型反向场阻止层(5)延伸入N型漂移区(4)。