[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备有效
| 申请号： | 201711452695.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108110059B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上形成的竖直有源区，包括沿竖直方向依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，所述第一源/漏区包括延伸超出其上方的有源区部分的横向延伸部分；绕沟道区的外周形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括横向延伸部分；第一源/漏区横向延伸部分上方到第一源/漏区横向延伸部分的堆叠接触部，所述堆叠接触部包括沿竖直方向依次设置的三层结构：下层部分、中层部分和上层部分；其中，所述下层部分至少包括与形成所述第一源/漏区的元素相同的元素，所述中层部分至少包括与形成所述沟道区的元素相同的元素，所述上层部分至少包括与形成所述第二源/漏区的元素相同的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上形成的竖直有源区，包括沿竖直方向依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，所述第一源/漏区包括延伸超出其上方的有源区部分的横向延伸部分；绕沟道区的外周形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括横向延伸部分；第一源/漏区横向延伸部分上方到第一源/漏区横向延伸部分的堆叠接触部。
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