[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在衬底上形成的竖直有源区，包括沿竖直方向依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，所述第一源/漏区包括延伸超出其上方的有源区部分的横向延伸部分；

绕沟道区的外周形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括横向延伸部分；

第一源/漏区横向延伸部分上方到第一源/漏区横向延伸部分的堆叠接触部；

其中，所述堆叠接触部包括沿竖直方向依次设置的三层结构：下层部分、中层部分和上层部分；所述中层部分的材料至少与所述上层部分或下层部分之一不同；

其中，所述堆叠接触部的下层部分、中层部分和上层部分所处位置分别与组成竖直有源区的所述第一源/漏区、所述沟道区和所述第二源/漏区的位置在水平方向上基本自动对准；

所述堆叠接触部包括金属元素和半导体元素组成的化合物材料；

其中，所述上层部分中的半导体元素与所述第二源/漏区所包含的半导体元素相同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，组成所述堆叠接触部的部分元素与组成所述第一源/漏区或所述沟道区或所述第二源/漏区中的元素相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括第二源/漏区上方到第二源/漏区的第一接触插塞。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏区横向延伸部分包括金属元素和半导体元素组成的化合物材料，所述第一源/漏区横向延伸部分中的半导体元素之一至少与所述第一源/漏区或所述沟道区中的半导体元素之一相同。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述堆叠接触部和/或所述第一源/漏区横向延伸部分包括掺杂半导体。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述下层部分至少包括与形成所述第一源/漏区的元素相同的元素，所述中层部分至少包括与形成所述沟道区的元素相同的元素，所述上层部分至少包括与形成所述第二源/漏区的元素相同的元素。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述下层部分包括第一金属元素和半导体元素组成的化合物，所述中层部分包括第二金属元素和半导体元素组成的化合物，以及所述上层部分包括第三金属元素和半导体元素组成的化合物，所述下层部分的化合物中的半导体元素之一与所述第一源/漏区中的半导体元素之一相同，或所述中层部分的化合物中的半导体元素之一与所述沟道区中的半导体元素之一相同，或所述上层部分的化合物中的半导体元素之一与所述第二源/漏区中的半导体元素之一相同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述化合物材料包括金属硅化物材料和/或金属硅锗化物材料。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述下层部分的化合物与所述第一源/漏区在相同层级上，所述中层部分的化合物与所述沟道区在相同层级上，所述上层部分的化合物与所述第二源/漏区在相同层级上。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述堆叠接触部外部至少部分包有金属层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述金属层包括以下中的任何一个：钨、钴、钛、镍、铜、钼、铝、银、铍、钌、钙，或其中任意几个的组合。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述堆叠接触部上方到所述堆叠接触部的第二接触插塞。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

到栅堆叠的横向延伸部分中的栅导体层的第三接触插塞，用作第三接触部。