[发明专利]上电复位电路在审
| 申请号： | 201711452279.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107888173A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陶冬毅 | 申请（专利权）人： | 苏州菲达旭微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司32232 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种上电复位电路，其包括电流产生电路、电流镜电路和电流比较电路，电流产生电路包括MOS晶体管对和电阻对，用于产生电流信号，电流镜电路用于处理产生的电流信号；电流比较电路用于产生上电复位信号。本发明采用拓扑结构，使输出的上电复位信号随环境温度的变化具有补偿特性，并且电源电压翻转点仅与单类型的有源器件比值和电阻器件比值相关，大大降低了在大规模生产过程中由于器件离散型因素和实际工作过程中的环境温度变化因素导致的电源电压翻转点偏移问题，性能可靠，低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，其特征在于，包括：电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，所述电流产生电路用于产生电流信号；MOS晶体管对包括：两个成比例的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极一同接在第一电源线上，第一MOS晶体管的栅极通过第一电阻的一端与第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极与第一电阻的一端相连；电阻对包括：两个成比例的第一电阻和第二电阻，第一电阻接在第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极之间，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间；电流镜电路，用于处理产生的电流信号；电流比较电路，用于产生上电复位信号。
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