[发明专利]上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：

电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，所述电流产生电路用于产生电流信号；

MOS晶体管对包括：两个成比例的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极一同接在第一电源线上，第一MOS晶体管的栅极通过第一电阻的一端与第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极与第一电阻的一端相连；

电阻对包括：两个成比例的第一电阻和第二电阻，第一电阻接在第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极之间，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间；

电流镜电路，用于处理产生的电流信号；

电流比较电路，用于产生上电复位信号。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第一MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管和第五MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和第三MOS晶体管镜像连接，所述第四MOS晶体管和所述第五MOS晶体管镜像连接。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管都工作在亚阈值区。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路还包括设置于该电路输出端的一个反相器，所述反相器用于完成反向功能，使输出信号恢复到逻辑电平值。

5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管的宽长比大于所述第二MOS晶体管的宽长比。

6.根据权利要求3-5任一项所述的上电复位电路，其特征在于，

所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管MP101；

所述第二MOS晶体管为PMOS晶体管MP102；

所述第三MOS晶体管为PMOS晶体管MP103；

所述第四MOS晶体管为NMOS晶体管MN101；

所述第五MOS晶体管为NMOS晶体管MN102；

所述第一电阻为电阻R101；

所述第二电阻为电阻R102。

7.根据权利要求6所述的上电复位电路，其特征在于，PMOS晶体管MP101的源极连接到第一电源线，其栅极和漏极连接到电阻R101的一端；

PMOS晶体管MP102的源极连接到第一电源线，其栅极连接到电阻R101的一端的另一端，其漏极连接到NMOS晶体管MN101的栅极；

PMOS晶体管MP103的源极连接到第一电源线，其栅极连接到电阻R101的一端；

电阻R101的一端与PMOS晶体管MP101的漏极连接，其另一端与PMOS晶体管MP102的栅极连接；

电阻R102的一端与PMOS晶体管MP102的栅极连接，其另一端与NMOS晶体管MN101的源极连接；

NMOS晶体管MN101的源极连接到第二电源线，其栅极和漏极连接到PMOS晶体管MP102的漏极；

NMOS晶体管MN102的源极连接到第二电源线，其栅极连接到PMOS晶体管MP102的漏极。

8.根据权利要求7所述的上电复位电路，其特征在于，PMOS晶体管MP103的漏极与NMOS晶体管MN103的漏极连接，并与反相器INV1的输入端连接。

9.根据权利要求3-5任一项所述的上电复位电路，其特征在于，

所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管MP201；

所述第二MOS晶体管为PMOS晶体管MP202；

所述第三MOS晶体管为PMOS晶体管MP203；

所述第四MOS晶体管为NMOS晶体管MN201；

所述第五MOS晶体管为NMOS晶体管MN202；

所述第一电阻为电阻R201；

所述第二电阻为电阻R202。

10.根据权利要求9所述的上电复位电路，其特征在于，

PMOS晶体管MP201的源极连接到第一电源线，其漏极连接到电阻R201的一端，其栅极连接到电阻R201的另一端；

PMOS晶体管MP202的源极连接到第一电源线，其栅极连接到电阻R201的一端，其漏极连接到NMOS晶体管MN202的漏极；

PMOS晶体管MP203的源极连接到第一电源线，其栅极连接到PMOS晶体管MP201的栅极，其漏极连接到NMOS晶体管MN201的漏极；

电阻R201的一端与PMOS晶体管MP201的漏极连接，其另一端与电阻R202的一端连接；

电阻R202的一端与电阻R201连接，其另一端连接到第二电源线；

NMOS晶体管MN201的源极连接到第二电源线，其栅极和漏极连接到PMOS晶体管MP203的漏极；

NMOS晶体管MN202的源极连接到第二电源线，其栅极连接到NMOS晶体管MN201的栅极，其漏极连接到PMOS晶体管MP202的漏极；

反相器INV2的输入端连接到PMOS晶体管MP202的漏极。